光钜微电子完成1.89亿元B+轮融资，加速射频前端芯片国产化进程

2025-03-14 艾媒网阅读 13996

　　据艾媒消息，武汉光钜微电子有限公司（以下简称“光钜微电子”）近日完成1.89亿元人民币B+轮融资。本轮融资由武汉凡谷（002194）、湖北省铁路发展基金等多家知名产业资本及投资机构联合投资。融资资金将主要用于扩大公司的主营业务和日常经营，进一步巩固其在高端射频前端芯片领域的领先地位。

　　光钜微电子成立于2017年，是一家专注于射频前端模组中BAW/FBAR（体声波/薄膜体声波）滤波器的研发和生产的IDM公司。公司自2019年建成国内首条8寸体声波晶圆厂并投产以来，已成功开发出具有自主知识产权的GBAW系列产品，并导入主流手机供应链。其产品广泛应用于智能手机、平板电脑、智能家居、物联网等领域。

　　光钜微电子的BAW滤波器产品在性能上已达到或部分超越国外旗舰水平，且良率达到90%以上。公司通过自建生产与封测工厂，实现了从设计、生产和封测的全流程自主模式，解决了射频关键器件“卡脖子”的问题。目前，光钜微电子已获得多家知名客户订单，并计划在未来几年内进一步扩充产能。