晶讯聚震获得战略投资,国投创业领投

艾媒咨询10月13日消息,晶讯聚震科技有限公司(以下简称“晶讯聚震”)宣布获得国投创业战略投资,据了解,此次融资主要用于提供高频、大带宽、高性能射频滤波器,以满足未来5G终端设备、信息传输系统等领域的需要。

珠海晶讯聚震科技有限公司(CRT)是一家由行业领军人才和技术专家领导的国际化企业,成立于2017年7月27日,由 Dror先生在珠海成立,公司核心技术团队均来自来半导体相关行业知名公司,拥有丰富的半导体实战经验,其中核心技术团队掌握有多项专利技术,及产品的工艺 Know-How,拥有核心设计团队,工艺开发和设备团队,及市场销售和管理团队。公司旨在成为全球高端滤波器芯片供应商,基于下一代薄膜体声波谐振器(FBAR),运用本公司独特的SMART FBAR 技术所产出的高单晶压电材料及特有的晶圆级封装的结构,提供高频、高性能的射频滤波器,以满足未来 5G 终端设备、 信号基站和物联网制造商的性能要求。

国投创业投资管理有限公司(以下简称国投创业)成立于2016年,是国投集团以市场化方式独立运营的基金管理公司。 国投创业以 “服务国家创新战略,聚焦科技成果转化”为宗旨,在探索科技成果产业化的创新实践中,将充分兼顾政策导向和投资回报目标,切实落实国家发展战略,努力实现政府、社会和市场的共赢,力争成为一家“有理想、可信赖、受尊敬、有影响”的业内领先的专业化基金管理机构。

目前,全球半导体市场依然在持续增长,但增速有所放缓。在这个行业中,头部厂商和国产厂商都在不断发力,争夺市场份额。半导体材料也随着技术的不断发展而不断演化,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)等为代表的宽禁带半导体材料,被称为第三代半导体材料,具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率,以及更强的抗辐射能力等诸多优势,在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。随着新基建、新能源等新兴行业的快速发展,半导体产业未来的发展将更加多元化和复杂化。

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